можно ли напрямую заменить транзистора bc817 на ao6409 введите да или нет

28.04.202229.04.2022 admin 0 Comments

Можно ли напрямую заменить транзистора bc817 на ao6409 введите да или нет

Если это ваш первый визит, рекомендуем почитать справку по форуму. Для размещения своих сообщений необходимо зарегистрироваться. Для просмотра сообщений выберите раздел.

	Большой Воронежский Форум » Компьютеры и все, что с ними связано » »Радиолюбитель
Помогите подобрать замену.

Программирование микроконтролеров,ремонт аудио/видео/бытовой техники,полезные устройства для дома,телефония, обсуждение статей журнала Радио

Есть оптопара TLP781F.
Можно ли ее заменить на PC817?

И имеется полевик SMK830W.
Подскажите чем его можно заменить?

не факт, что оптопара сдохла. Это большая редкость. нарисуй схему с платы, чтоб понять где питание у ШИМ-контроллера, выход, ОС и т.д. Тогда мож и станет похож на известный какой-нибудь. Сделай пару ЧЕТКИХ фоток с обеих сторон и выложи здесь, чтоб можно было сопоставить детали и дорожки, мож что и понятней станет. И что на корпусе БП написано про напряжеия и токи?

врядли 80В в обратной связи у ШИМ-контроллера, хотя все может быть.

r_c_m, ну за оптопарой что стоит? Классика TL431?
Сама оптопара чем управляет? Какой там ШИМ используется? Какое у него питание?

Проверяется достаточно легко:
во-первых, при выключенном БП выходные пины оптопары не в КЗ? Можно мерить без выпайки.
во-вторых, если включить БП напряжения на выходе БП не завышены?
в-третьих, на управляющих оптопары (там обычный светодиод) напряжение какое?

Источник

NPN-транзисторы BC817 0.1А 45В в корпусе SOT-23

В принципе, у меня имеются некоторые базовые понятия о транзисторах, но конкретно собрать что-то с их применением, мне как-то не доводилось.

Начитавшись статей об Ардуино, я решил заказать какие-то дешевые, пригодятся на всякий случай, например, для управления чем-нибудь или для отключения самого Ардуино при обнаружении разряда батареи.

Транзисторы нужны для управления бОльшими токами и напряжениями с помощью мЕньших, что бывают они полевыми, биполярными, что применяются повсеместно если не явно, то входят в состав микросхем. Не говоря у же о том, что все логические элементы строятся на них, а на логических элементах, в свою очередь, строятся автоматы: счётчики, регистры компараторы и т.д. То есть, транзисторы лежат в основе существования всего, что позволяет автоматизировать хранение и обработку информации…

Я, как и многие, начал знакомство с электроникой со сборки усилителей звука, сейчас много интегрированных схем: припаял пару конденсаторов — и готово, усилителя звука на TDA И даже преамп для динамического микрофона получается неплохой без применения транзисторов, на К538УН3А. А, т.к. электроника для меня это микрохобби, раньше я их никогда в руках не держал… Хотя знал, что рано или поздно придётся.

Также, можно провести аналогию с реле, но, в отличии от управления через реле, у схем с применением транзисторов нет гальванической развязки, да и реле работают как выключатели, а транзисторы — скорее как регуляторы.

О товаре

Параметры

Все параметры транзистора продавец описал в названии: «. BC817 BC817-40 SOT-23 NPN 6C 0.1A/45V general purpose. «, если верить сайту chip-и-dip, параметры транзистора BC817-40 таковы:
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс) 50 В
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс) 45 В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.) 800 мА
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. 100 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность 0.31 Вт
Корпус sot23.

Пример использования с вентилятором

Суть применения с Ардуино заключается в подаче малого напряжения (в виде ШИМ-сигнала) на базу транзистора, пропорционально которому будет изменяться ток от коллектора к эмиттеру, а напряжение там (12В) — намного больше напряжения Ардуино.

Питание подаётся на разъем molex — от компьютера. Схема во Fritzing получилась такая:
Резистор — порядка 3 кОм, нужен для ограничения тока (защиты пина); ( А ) — амперметр, с его помощью узнаем как изменяется ток (вольтметром тоже полазим); и нужно не забыть соединить все земли, если питание мотора-вентилятора будет у Вас отдлельно! Диод нужен для предотвращения помех, но, т.к. осциллографа у меня нет, оценить его надобность проблематично, также, рекомендуют ставить конденсатор порядка 22nf. Кстати, если у вентилятора есть еще третий (жёлтый) провод, есть вероятность получить с него скорость оборотов через digitalRead().

Подача с Ардуино ШИМ-сигнала, который определяет напряжение на одном из пинов в скрипте выглядит так:
Где i принимает значения от 0 до 255, в реальности — от 0 до максимального напряжения, на котором работает микроконтроллер. Использовать можно не всякий пин, более подробно это описано тут или здесь =)
Вентилятор такой:
Voltage: 12 V
Current: 160 mA
Speed: 2300rpm

Источник

Можно ли напрямую заменить транзистора bc817 на ao6409 введите да или нет

Наименование производителя: BC817

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

BC817 Datasheet (PDF)

0.1. bc817-16.pdf Size:90K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC817 16LT1/DBC817-16LT1General Purpose TransistorsNPN SiliconBC817-25LT1COLLECTOR3BC817-40LT12BASE13EMITTERM

0.2. bc817 3.pdf Size:52K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BC817NPN general purpose transistor1999 Jun 01Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 12Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor BC817FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector

0.4. bc817w 3.pdf Size:55K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D102BC817WNPN general purpose transistor1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 05Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor BC817WFEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector

0.5. bc817ds.pdf Size:128K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D302BC817DSNPN general purpose double transistorProduct data sheet 2002 Nov 22Supersedes data of 2002 Aug 09NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose double transistor BC817DSFEATURES QUICK REFERENCE DATA High current (500 mA)SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT 600 mW total power dissipationVCEO colle

0.6. bc817dpn.pdf Size:149K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D302BC817DPNNPN/PNP general purpose transistorProduct data sheet 2002 Nov 22Supersedes data of 2002 Aug 09NXP Semiconductors Product data sheetNPN/PNP general purpose transistor BC817DPNFEATURES QUICK REFERENCE DATA High current (500 mA)SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT 600 mW total power dissipationVCEO collector

BC817-25BC817-40SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSPRELIMINARY DATAType MarkingBC817-25 6BBC817-40 6C SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS MINIATURE SOT-23 PLASTIC PACKAGEFOR SURFACE MOUNTING CIRCUITS TAPE AND REEL PACKING THE PNP COMPLEMENTARY TYPES AREBC807-25 AND BC817-40 RESPECTIVELYSOT-23APPLICATIONS WELL SUITABLE FOR PORTABLEEQUIPMENT SMALL LOAD SWITCH

0.8. bc817 bc818.pdf Size:160K _fairchild_semi

November 2006BC817/BC818tmNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching and Amplifier Applications Suitable for AF-Driver stages and low power output stages3 Complement to BC807/ BC808 2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings* Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC817 50

0.9. bc817.pdf Size:45K _fairchild_semi

BC817/BC818Switching and Amplifier Applications Suitable for AF-Driver stages and low power output stages3 Complement to BC807/BC8082SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector Emitter Voltage : BC817 50 V: BC818 30 VVCEO Collector Em

0.10. bc817qa.pdf Size:224K _nxp

BC817-25QA; BC817-40QA45 V, 500 mA NPN general-purpose transistorsRev. 1 3 September 2013 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA NPN general-purpose transistors in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.Table 1. Product overviewType number Package PNP compleme

0.12. bc817ds.pdf Size:215K _nxp

0.13. bc817 bc818.pdf Size:19K _samsung

BC817/BC818 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSOT-23SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS Sutable for AF-Driver stages and low power output stages Complement to BC807/BC808ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector Emitter Voltage :BC817 VCES 50 V:BC818 30 VCollector Emitter Voltage :BC817 VCEO 45 V:BC818 25 VEmitter-Base Voltage VEB

0.14. bc817-16w.pdf Size:90K _siemens

BC 817-16WNPN Silicon AF Transistor For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BC807W, BC808W (PNP)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBC 817-16W 6As Q62702-C2320 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323BC 817-25W 6Bs Q62702-C2278 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323BC 817-40W 6Cs Q6

SOT23 NPN SILICON PLANARBC817MEDIUM POWER TRANSISTORSBC818ISSUE 4 june 1996 T I D T I 8 D 8 8 8 8 8 EC 8 8 8 8 8 8 B T T 8 8 8 8 8 8SOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T 8 8 8 IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT

0.18. bc817u.pdf Size:523K _infineon

BC817UNPN Silicon AF Transistor Array For AF stages and driver applications43 High current gain 5261 Low collector-saturation voltage Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101C1 B2 E26 5 4TR2TR11 2 3E1 B1 C2EHA07178Type Marking Pin Config

0.20. bc817upn.pdf Size:524K _infineon

BC817UPNNPN Silicon AF Transistor Array For AF stages and driver applications43 High current gain 5261 Low collector-emitter saturation voltage Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP transistors in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101C1 B2 E26 5 4Tape loading orientationTR2Marking on SC74 package TR1

0.21. bc817su.pdf Size:532K _infineon

BC817SUNPN Silicon AF Transistor For general AF applications43 High collector current 5261 High current gain Low collector-emitter saturation voltage Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101Type Marking Pin Configuration PackageBC817SU B6s1=E 2=C 3=C 4=C 5=C 6=B SC74Maximum RatingsParameter Symbol Value Unit45 VCollect

BC817-16MCCMicro Commercial ComponentsTM THRU20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311BC817-40Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesNPN Small Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information)Signal Transistor Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Moisure Sensitivity L

BC817DPNFeatures Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix «-HF» Moisture Sensitivity Level 1NPN/PNP Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix Designates RoHSGeneral PurposeCompliant. See Ordering Information)TransistorsMaximum Ratings @ 25C Unless Otherwise Specified Operating Junction Temperature Ran

BC817-16L, SBC817-16L,BC817-25L, SBC817-25L,BC817-40L, SBC817-40LGeneral PurposeTransistorshttp://onsemi.comNPN SiliconCOLLECTORFeatures 3 S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsRequiring Unique Site and Control Change Requirements; 1BASEAEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS2Complian

BC817-40W45 V, 0.5 A, GeneralPurpose NPN TransistorON Semiconductors BC817-40W is a General Purpose NPNTransistor that is housed in the SC-70/SOT-323 package.Featureswww.onsemi.com AEC-Q101 Qualified and Consult Factory for PPAP Capable This Device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHSCOLLECTORCompliant31BASEMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbo

0.36. bc817.pdf Size:232K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD BC817 NPN SILICON TRANSISTOR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER DESCRIPTION The UTC BC817 is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.2A. Lead-free: BC817L Halogen-free:BC817G ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Normal Lead Free Halogen Free 1 2 3BC8

0.37. bc817f.pdf Size:233K _auk

BC817FNPN Silicon TransistorDescriptions PIN Connection High current application Switching application 3 Features 1 Suitable for AF-Driver stage and low power output stages 2 SOT-23F Complementary pair with BC807F Ordering Information Type NO. Marking Package Code NA BC817F SOT-23F Device Code hFE Rank Year&Week Code

0.38. bc817.pdf Size:254K _auk

BC817NPN Silicon TransistorDescriptions PIN Connection High current application Switching application 3 Features 1 Suitable for AF-Driver stage and low power 2 output stages SOT-23 Complementary pair with BC807 Ordering Information Type NO. Marking Package Code NA BC817 SOT-23 Device Code hFE Rank Year&Wee

0.39. bc817w.pdf Size:235K _secos

0.40. bc817.pdf Size:203K _secos

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package BC817BC818SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSNPN transistorsMarkingPACKAGE OUTLINE DETAILSBC817 = 6DALL DIMENSIONS IN mmBC817-16 = 6ABC817-25 = 6BBC817-40 = 6CBC818 = 6HBC818-16 = 6EBC818-25 = 6FBC818-40 = 6GPin configuration1 = BASE2 =

SEMICONDUCTOR BC817ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERSComplementary to BC807A._+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95MAXIMUM RATING (Ta=25 )J 0.13+0.10/-0.05K 0.00

0.10CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITL 0

SEMICONDUCTOR BC817WTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURESM B MComplementary to BC807W.DIM MILLIMETERS_+A 2.00 0.20D2_B 1.25 + 0.15_+C 0.90 0.1031D 0.3+0.10/-0.05_E 2.10 + 0.20MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 0.65H 0.15+0.1/-0.06CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT J 1.30K 0.00

SEMICONDUCTOR BC817TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERSComplementary to BC807._+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95MAXIMUM RATING (Ta=25 )J 0.13+0.10/-0.05K 0.00

0.10CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITL 0.5

0.45. bc817.pdf Size:305K _htsemi

BC817TRANSISTOR (NPN) BC817-16 BC817-25 BC817-40 SOT-23 FEATURES 1. BASE For general AF applications 2. EMITTER High collector current 3. COLLECTOR High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BC807 (PNP) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 V

0.46. bc817.pdf Size:261K _gsme

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GM817-16 GM817-25 GM817-40MAXIMUM RATINGSMAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGSRatingCharacteristic Symbol Unit Collector-Emitter VoltageVCEO 45 Vdc

0.47. bc817.pdf Size:170K _lge

BC817-16 BC817-25BC817-40 SOT-23 Transistor(NPN)1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR SOT-23Features For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BC807 (PNP) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 V Dimen

BC817-16/BC817-25BC817-40COLLECTOR3General Purpose Transistor3NPN Silicon11BASE2SOT-232EMITTER( T =25 C unless otherwise noted)M aximum R atings ARating SymbolUnitValueVCEO 45Collector-Emitter Voltage VdcVCBO VdcCollector-Base Voltage50VEBO Vdc5.0Emitter-Base VoltagemAdcCollector Current-Continuous IC500Thermal CharacteristicsChara

WILLASBC817-xxLT1General Purpose TransistorsNPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. RoHS product for packing code suffix «G» Halogen free product for packing code suffix «H»MAXIMUM RATINGSSOT23Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage V CEO 45 VCollectorBase Voltage V CBO 50 VEmitterBase Voltage V E

0.51. bc817n3.pdf Size:161K _cystek

Spec. No. : C906N3 Issued Date : 2003.05.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/4 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC817N3Description The BC817N3 is designed for general purpose switching and amplification applications. Complementary to BC807N3. Features High current (max. 500mA) Low voltage (max 45V). Symbol Outline BC81

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconLBC817-25WT1GFEATURESS-LBC817-25WT1G1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free.2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12DEVICE MARKING AND ORDERI

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC817-16LT1GLBC817-25LT1GGeneral Purpose TransistorsLBC817-40LT1GNPN SiliconS-LBC817-16LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-25LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-40LT1G3MA

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC817-16DMT1GLBC817-25DMT1GDual General Purpose TransistorsLBC817-40DMT1GNPN DualsS-LBC817-16DMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteS-LBC817-25DMT1Gand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-40DMT

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsLBC817-16DPMT1GLBC817-25DPMT1GNPN/PNP DualsLBC817-40DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-16DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-25DPMT1GS-LBC

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC817-16DMT1GLBC817-25DMT1GDual General Purpose TransistorsLBC817-40DMT1GNPN DualsS-LBC817-16DMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-25DMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-40DMT

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.LBC817-40WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-40WT1G3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit12CollectorEmit

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC817-16LT1GLBC817-25LT1GGeneral Purpose TransistorsLBC817-40LT1GNPN SiliconS-LBC817-16LT1GS-LBC817-25LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site andS-LBC817-40LT1GControl Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3MA

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC817-16DMT1GLBC817-25DMT1GDual General Purpose TransistorsLBC817-40DMT1GNPN DualsS-LBC817-16DMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-25DMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC817-40DM

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.LBC817-16WT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site S-LBC817-16WT1Gand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmitter Voltage V

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC817-16LT1GGeneral Purpose TransistorsLBC817-25LT1GLBC817-40LT1GNPN SiliconS-LBC817-16LT1GS-LBC817-25LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site S-LBC817-40LT1Gand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3MAX

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC817-16DPMT1GLBC817-25DPMT1GDual General Purpose TransistorsLBC817-40DPMT1GNPN/PNP DualsS-LBC817-16DPMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC817-25DPMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC

0.64. bc817-16lg.pdf Size:570K _first_silicon

0.66. bc817s.pdf Size:102K _first_silicon

SEMICONDUCTORBC817STECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorsMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage V CEO 45 VCollectorBase Voltage V CBO 50 V3EmitterBase Voltage V EBO 5.0 V2Collector Current Continuous I C 500 mAdc1SOT23THERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Max UnitTotal Device Dissipation FR 5 Board, (1) P D3

0.67. bc817a.pdf Size:486K _kexin